一种多晶硅太阳能电池低温变温扩散工艺 CN201410008420.4

本发明涉及一种多晶硅太阳能电池低温变温扩散工艺，包括以下步骤：步骤1：将清洗制绒后的多晶硅片置于扩散炉中，扩散炉升温，通入氧气和主氮气，对多晶硅片进行预处理；步骤2：扩散炉中通入携带三氯氧磷的氮气、氧气和主氮气，对多晶硅片进行沉积扩散；步骤3：扩散炉升温，通入携带三氯氧磷的氮气、氧气和主氮气，对多晶硅片进行二次扩散；步骤4：扩散炉中通入氧气和主氮气，对多晶硅片进行推结；步骤5：扩散炉降温，通入主氮气；步骤6：多晶硅片出炉，降温处理。此工艺形成的P-N结的浓度梯度比恒温扩散的浓度梯度更大，减少少子复合，提高高能光子的响应，从而提高多晶硅太阳能电池的转换效率。
专利类型：发明
专利号：201410008420.4
专利申请日：2014.01.08
公开（公告）日：2014.04.09
申请（专利权）人：江苏宇兆能源科技有限公司
发明（设计）人：汪昭辉;郭文林
国别省市：江苏;32