一种背结背接触晶体硅太阳电池制作方法 CN201310620189.X

本发明涉及太阳能技术领域，尤其是一种基于传统领域的背结背接触晶体硅太阳电池制作方法，包括步骤：选择硅片、单面制绒、背表面硼扩散、背面扩散掩膜沉积、背面区域图案化、双面磷扩散、介质膜及磷硅玻璃去除、前表面及背表面介质膜的沉积、介质膜开孔、丝网印刷背面的接触浆料、烧结。本发明通过将背结背接触电池的正、负电极均制作于硅片的背面，有效减少遮光面积，增加生光电流，提高太阳能电池的使用效率。
专利类型：发明
专利号：201310620189.X
专利申请日：2013.11.29
公开（公告）日：2014.03.26
申请（专利权）人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
发明（设计）人：李海波;董经兵;刘仁中;张斌;邢国强
国别省市：江苏;32