一种晶体硅太阳能电池片扩散方法 CN201310350609.7

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片扩散方法，使用氢氟酸或硝酸对硅片表面进行油污清洗及制绒，将清洗制绒后的硅片放置于立式扩散炉内进行扩散，扩散工艺包括以下步骤：（1）入炉：将放置有晶体硅片的石英舟匀速入炉；（2）抽真空：抽真空后炉腔内的压力为300±50mTorr；（3）真空检漏：对炉腔进行漏率检测；（4）氧化：低压进行氧化；（5）第一次磷源扩散：低压进行第一次磷源扩散；（6）升温；（7）第二次磷源扩散：低压进行第二次磷源扩散；（8）磷杂质推进：低压进行磷杂质推进；（9）降温；（10）出炉。采用上述的扩散方法，在扩散过程中，提高了杂质的分子自由程和晶体硅片扩散的均匀性，晶体硅太阳能电池片的转换效率高，操作简单，产量大，成本低。
专利类型：发明
专利号：201310350609.7
专利申请日：2013.08.13
公开（公告）日：2014.03.05
申请（专利权）人：苏州盛康光伏科技有限公司
发明（设计）人：吴胜勇
国别省市：江苏;32