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一种晶体硅太阳能电池片扩散方法 CN201310350609.7


本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片扩散方法,使用氢氟酸或硝酸对硅片表面进行油污清洗及制绒,将清洗制绒后的硅片放置于立式扩散炉内进行扩散,扩散工艺包括以下步骤:(1)入炉:将放置有晶体硅片的石英舟匀速入炉;(2)抽真空:抽真空后炉腔内的压力为300±50mTorr;(3)真空检漏:对炉腔进行漏率检测;(4)氧化:低压进行氧化;(5)第一次磷源扩散:低压进行第一次磷源扩散;(6)升温;(7)第二次磷源扩散:低压进行第二次磷源扩散;(8)磷杂质推进:低压进行磷杂质推进;(9)降温;(10)出炉。采用上述的扩散方法,在扩散过程中,提高了杂质的分子自由程和晶体硅片扩散的均匀性,晶体硅太阳能电池片的转换效率高,操作简单,产量大,成本低。
专利类型:发明
专利号:201310350609.7
专利申请日:2013.08.13
公开(公告)日:2014.03.05
申请(专利权)人:苏州盛康光伏科技有限公司
发明(设计)人:吴胜勇
国别省市:江苏;32


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