一种基于硅玻璃键合的SOI MEMS制备方法 CN201210110746.9

    本发明提供了一种基于硅玻璃键合的SOI？MEMS制备方法，本发明的方法包括：在SOI硅片结构层表面进行光刻、采用剥离工艺制作金属电极；在硅片背面进行光刻，对背面硅进行刻蚀直至绝缘层；刻蚀硅片背面暴露出的绝缘层；将硅片跟玻璃进行键合；在硅片正面光刻定义MEMS结构区，采用DRIE各向异性刻蚀释放微结构；裂片、封装、测试。本发明提出的硅玻璃键合的SOIMEMS制备方法利用绝缘层作为刻蚀自停止层，结构层厚度均匀性好；且结构层不直接跟玻璃键合，减小了衬底跟玻璃键合引入的应力对MEMS器件性能影响。
专利类型：发明
专利号：201210110746.9
专利申请日：2012.04.17
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.08.29
分类号：
申请（专利权）人：china工程物理研究院电子工程研究所
发明（设计）人：张照云;施志贵;彭勃;高杨;苏伟
国别省市：四川;51