一种N型硅太阳能电池的双面扩散工艺 CN201310607594.8
本发明公开了一种N型硅太阳能电池的双面扩散工艺，包括以下步骤：1）背光面硼吸杂；2）硼硅玻璃去除；3）硅片受光面硼扩散形成发射极。采用本发明提供的N型硅太阳能电池的双面扩散工艺简单易行，且可改善N型硅太阳能电池的电性能。
专利类型：发明
专利号：
201310607594.8专利申请日：
2013.11.27公开（公告）日：
2014.02.19申请（专利权）人：
奥特斯维能源（太仓）有限公司发明（设计）人：
李静;邢国强;张斌;夏正月国别省市：
江苏;32
