一种N型晶体硅太阳能电池的制备方法 CN201310589582.7

本发明公开了一种N型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)采用N型单晶硅为衬底，清洗、制绒；(2)在硅片的背面的电极区域印刷硼浆，烘干、退火后形成硼掺杂PN结，同时在硅片背面形成氧化层；(3)单面磷扩散；(4)对硅片的背面进行局部刻蚀；(5)去除杂质玻璃层；(6)沉积钝化减反射膜；(7)印刷铝浆，形成铝背结；(8)印刷正面电极、背面电极，烘干；即可得到N型晶体硅太阳能电池。本发明开在硅片背面的非电极区域进行铝浆掺杂形成铝背结，背面电极区域采用硼浆掺杂制备电极，不仅解决了组件焊接的难题，同时避免了因背面PN结面积减少而带来的电池效率降低的问题。
专利类型：发明
专利号：201310589582.7
专利申请日：2013.11.21
公开（公告）日：2014.02.19
申请（专利权）人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
发明（设计）人：侯利平;王栩生;章灵军
国别省市：江苏;32