制备晶体硅太阳能电池氧化硅膜的方法 CN201310574354.2

本发明公开了一种制备晶体硅太阳能电池氧化硅膜的方法。该方法包括将硅片置于纳米二氧化钛水分散液中，采用紫外光照射硅片，然后将硅片取出、烘干。应用本发明的技术方案，利用纳米二氧化钛在紫外光下的强氧化性，使置于纳米TiO2水分散液中的硅片表面氧化生成厚度可控的氧化硅膜，其中纳米TiO2作为催化剂参与反应，原料消耗极少，同时此方法所需设备简单，不需要采用复杂的真空镀膜设备，工艺操作简单，能够有效降低生产成本，适于大规模生产。同时纳米TiO2在氧化太阳能硅片的同时，在与太阳能硅片被氧化区域水分子会被部分还原为氢气，此部分氢气部分渗透到氧化硅膜中，从而提高氧化硅膜层质量。
专利类型：发明
专利号：201310574354.2
专利申请日：2013.11.15
公开（公告）日：2014.02.19
申请（专利权）人：英利集团有限公司
发明（设计）人：倪健雄;李高非;韩帅;蒋京娜
国别省市：河北;13