具有电沉积的化合物界面层的太阳能电池的制造方法 CN201180020159.4

一种制造太阳能电池的方法，包括在结配对层上电镀IIB-VIA族材料作为第一层或子层，和然后在该子层上方形成也是由IIB-VIA族材料构成的第二层。所述子层和第二层都包含Te。在相对低的温度下执行电镀，例如低于100℃。通过低温电镀形成子层产生小晶粒的密实膜，该密实膜在第二层的形成期间保护子层和结匹配物之间的界面。
专利类型：发明
专利号：201180020159.4
专利申请日：2011.04.12
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.2.20
分类号：
申请（专利权）人：安可太阳能股份有限公司
发明（设计）人：B·M·巴索尔
国别省市：美国;US