一种太阳能电池用的图形化掺杂晶硅薄膜制备方法 CN201310474882.0
本发明提供了一种太阳能电池用的图形化掺杂晶硅薄膜制备方法，其特征是先利用低温气相沉积技术制备图形化的掺杂非晶硅或微晶硅薄膜，然后利用快速热处理方法获得图形化的掺杂晶硅薄膜。本发明可获得更加丰富的图形式样、可更加方便的调节掺杂薄膜的厚度、掺杂元素的种类和掺杂浓度的分布，为进一步改善晶硅太阳能电池器件结构和工艺提供了空间。
专利类型：发明
专利号：
201310474882.0专利申请日：
2013.10.12公开（公告）日：
2014.02.19申请（专利权）人：
南昌大学发明（设计）人：
黄海宾;周浪;高江;崔冶青国别省市：
江西;36
