晶体硅太阳能电池背场局域接触铝浆及其制备方法 CN201310489103.4

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池背场局域接触铝浆及其制备方法，该铝浆的组成及重量百分含量：低熔点铝合金60～80%、有机粘结剂10～20%、玻璃粉6～10%、助剂1～10%，其制备方法是称取上述成分混合，采用分散机分散后，在三辊研磨机上研磨；研磨后，加入有机溶剂，采用高速分散机分散均匀，罐装封口待用。本发明主要针对激光开孔和化学腐蚀的局限性，研发了一种可均匀印刷至晶体硅上，通过共烧结，穿透硅片背面钝化层，形成背场局域接触穿透的铝浆，避免了激光开孔导致的对硅片的损坏、化学腐蚀的污染，本发明的铝浆市场前景广阔。
专利类型：发明
专利号：201310489103.4
专利申请日：2013.10.18
公开（公告）日：2014.01.22
申请（专利权）人：南通天盛光伏科技有限公司
发明（设计）人：朱鹏;陈卫明
国别省市：江苏;32