太阳能电池硅片抛光后的清洗方法 CN201310388255.5

本发明提供了一种太阳能电池硅片抛光后的清洗方法，包括以下步骤：（1）对抛光后的太阳能电池硅片进行酸清洗；（2）对酸清洗后的太阳能电池硅片进行混酸酸洗、碱清洗和酸清洗。在步骤（2）中，混酸酸洗使用氢氟酸和硝酸的混合酸，碱清洗使用为氢氧化钠或氢氧化钾溶液，用于酸洗的酸为氢氟酸和盐酸的混合酸。本发明的方法操作简便，且可高效地除去太阳能电池硅片在抛光过程中产生的各种污染，可明显提高硅片产品的开路电压，为背抛光、背钝化电池的大规模生产提供良好的技术支持。
专利类型：发明
专利号：201310388255.5
专利申请日：2013.08.30
公开（公告）日：2013.12.11
申请（专利权）人：昊诚光电（太仓）有限公司
发明（设计）人：安子凤;刘古岩;牛春晓;吴卫伟;黄高山;熊军;王雅男
国别省市：江苏;32