一种MWT晶体硅太阳能电池的制备方法 CN201310226645.2

本发明公开了一种MWT晶体硅太阳能电池制备方法，含如下工序：采用激光在硅基体上制作导电通孔；采用酸或碱在开孔之后的硅基体前后表面制绒；磷或硼扩散，在硅基体前表面形成N+或P+发射极结构；在硅基体上下表面生长热二氧化硅；在硅基体的背面选择性印刷抗HF腐蚀掩膜浆料，在导电通孔周围形成抗HF腐蚀掩膜；采用HF清洗硅基体前后表面的二氧化硅；去除抗HF腐蚀掩膜层，露出导电通孔周围的二氧化硅；在硅基体前表面镀减反射膜作为受光面；丝网印刷灌孔浆料、背面铝浆、正面银浆、背面银浆，烧结形成MWT晶体硅太阳能电池，该方法制成的MWT太阳电池在增加光的吸收与提高组件效率的同时具有很好的背面钝化与隔离效果。
专利类型：发明
专利号：201310226645.2
专利申请日：2013.06.08
公开（公告）日：2013.11.27
申请（专利权）人：中山大学
发明（设计）人：梁宗存;郑付成
国别省市：广东;44