用于太阳能电池发射体的湿化学反向蚀刻的方法 CN201180053238.5
本发明涉及一种用于在蚀刻溶液中将高度掺杂的硅层进行湿化学蚀刻的方法。根据本发明，为了能够均匀地进行蚀刻，使用含HF的蚀刻溶液作为蚀刻溶液，所述蚀刻溶液含有至少一种选自过二硫酸盐、过一硫酸盐和过氧化氢的氧化剂。
专利类型：发明
专利号：
201180053238.5专利申请日：
2011.09.02公开（公告）日：
2013.11.20申请（专利权）人：
肖特太阳能股份公司发明（设计）人：
A.拉霍维奇;B.舒姆;K.瓦斯国别省市：
德国;DE
