薄膜太阳能电池及其制作方法 CN201210143322.2

本发明公开了一种薄膜太阳能电池，它包括减反射膜基底，基底上沉积有绝缘层，在绝缘层上生长有多个横向p-i-n结，各p-i-n结分别由具有垂直结构的n型掺杂层、本征层和p型掺杂层顺序设置组成，各本征层上分别具有背反射镜，各n型掺杂层和各p型掺杂层上分别具有金属电极。其制作方法包括清洗基底、沉积绝缘层、垂直结构处理、制作横向p-i-n结、制备背反射镜、制作电极等主要步骤。本发明的薄膜太阳能电池可有效避免p、n掺杂层死层的光吸收损失以及栅线对光线遮挡造成的光损失，增加光线在电池内部的反射，从而有效提高电池的转换效率，且可应用于各种薄膜太阳能电池。
专利类型：发明
专利号：201210143322.2
专利申请日：2012.05.09
公开（公告）日：2013.11.13
申请（专利权）人：上海太阳能工程技术研究中心有限公司
发明（设计）人：郭群超;庞宏杰;王凌云;柳琴;白晓宇;张愿成;张滢清
国别省市：上海;31