太阳能电池及其制造方法 CN201280026160.2

本发明提供一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：具有p-n结的半导体衬底；形成在所述半导体衬底的至少一侧上的增透膜；形成在所述增透膜上的第一电极；以及覆盖所述第一电极的第二电极，其中仅所述第一电极通过穿通过程选择性地穿透所述增透膜从而与所述半导体衬底连接。
专利类型：发明
专利号：201280026160.2
专利申请日：2012.03.13
公开（公告）日：2014.02.05
申请（专利权）人：韩华石油化学株式会社
发明（设计）人：赵在亿;李龙和;李东昊;柳贤澈;金刚逸;玄德焕
国别省市：韩国;KR

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