太阳能电池光吸收层制备方法 CN201310302652.6

一种太阳能电池光吸收层制备方法，包括以下步骤：通过磁控溅射法，在衬底上沉积形成铜铟硒薄膜；对所述铜铟硒薄膜进行高温退火，使所述铜铟硒薄膜结晶，以在所述衬底上形成铜铟硒过渡层；通过采用铜铟镓二硒四元合金靶材的磁控溅射，在所述铜铟硒过渡层上沉积形成铜铟镓硒薄膜，并高温结晶，制得太阳能电池光吸收层。在上述太阳能电池光吸收层制备方法中，通过现在衬底上通过磁控溅射法形成结晶质量较好的铜铟硒过渡层，再在铜铟硒过渡层的基础上形成由铜铟镓硒材料制成的太阳能电池光吸收层，有助于高质量铜铟镓硒晶粒的形成，从而使得太阳能电池光吸收层的结晶质量较好的，提高了太阳能电池光吸收层的质量。
专利类型：发明
专利号：201310302652.6
专利申请日：2013.07.17
公开（公告）日：2013.10.23
申请（专利权）人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
发明（设计）人：郭延璐;肖旭东;杨春雷;顾光一;冯叶;程冠铭;鲍浪;于冰;徐苗苗
国别省市：广东;44