一种抗PID效应的晶体硅太阳能电池及其制备方法 CN201310354011.5
本发明公开了一种抗PID效应的晶体硅太阳能电池，包括硅片衬底和设置在硅片衬底上的钝化膜，所述钝化膜包括依次叠层沉积在所述硅片衬底正表面的致密层SiO2、疏松层SiO2、致密层Si3N4及疏松层Si3N4。另涉及该晶体硅太阳能电池的制备方法，包括制绒-扩散-刻蚀-氧化-PECVD-丝网印刷-烧结测试步骤。采用低温生长SiO2钝化膜和经过PECVD沉积的具有氢钝化作用和很好减反射效果的Si3N4膜构成的SiO2/Si3N4双层膜能明显改善太阳电池的性能，增强太阳能电池表面的钝化效果。
专利类型：发明
专利号：
201310354011.5专利申请日：
2013.08.14公开（公告）日：
2013.11.27申请（专利权）人：
中节能太阳能科技（镇江）有限公司发明（设计）人：
魏文文;勾宪芳;王鹏;姜利凯国别省市：
江苏;32
