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一种抗PID效应的晶体硅太阳能电池及其制备方法 CN201310354011.5


本发明公开了一种抗PID效应的晶体硅太阳能电池,包括硅片衬底和设置在硅片衬底上的钝化膜,所述钝化膜包括依次叠层沉积在所述硅片衬底正表面的致密层SiO2、疏松层SiO2、致密层Si3N4及疏松层Si3N4。另涉及该晶体硅太阳能电池的制备方法,包括制绒-扩散-刻蚀-氧化-PECVD-丝网印刷-烧结测试步骤。采用低温生长SiO2钝化膜和经过PECVD沉积的具有氢钝化作用和很好减反射效果的Si3N4膜构成的SiO2/Si3N4双层膜能明显改善太阳电池的性能,增强太阳能电池表面的钝化效果。
专利类型:发明
专利号:201310354011.5
专利申请日:2013.08.14
公开(公告)日:2013.11.27
申请(专利权)人:中节能太阳能科技(镇江)有限公司
发明(设计)人:魏文文;勾宪芳;王鹏;姜利凯
国别省市:江苏;32


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