一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺 CN201310338042.1

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，主要涉及晶体硅太阳能电池生产过程中液态磷源扩散法P-N结的制备，其特征在于，进舟后首先在扩散工序的升温的过程中通少量氧气，形成一层二氧化硅薄层，使得沉积在硅片表面的磷原子必须通过二氧化硅层这层薄膜才能扩散进入硅片，从而达到均匀扩散的效果，然后先高温通源沉积，可以快速有效的溶解金属沉淀和金属复合体，再进行降温仅通氮气，再进行补源二次低温通源沉积，极大地增加了吸杂的驱动力，最后再进行推进、冷却，采用本发明工艺，能够有效提升太阳能电池的光电转换效率，极大缩短生产时间，提升生产产能，节省磷源使用量，降低生产成本，且工艺简单可行，不需要增加额外工序步骤和物料。
专利类型：发明
专利号：201310338042.1
专利申请日：2013.08.06
公开（公告）日：2013.10.23
申请（专利权）人：中利腾晖光伏科技有限公司
发明（设计）人：付少剑;蒋文杰;何伟;刘聪;苗成祥;魏青竹;保罗
国别省市：江苏;32