晶体硅异质结太阳能电池的制备方法 CN201310212499.8

本发明公开了一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗、腐蚀制绒；(2)将硅片的正面进行Si离子和B离子注入，在正面形成本征非晶硅薄膜；在硅片的背面进行Si离子和B离子注入，在背面形成本征非晶硅薄膜；(3)对硅片正反面的本征非晶硅薄膜进行回刻；(4)在硅片正面沉积p型掺杂的非晶硅薄膜层；(5)在硅片反面沉积n型重掺杂的非晶硅薄膜层；(6)在硅片的正反两面设置透明导电薄膜层；(7)丝网印刷、烧结在硅片表面制备金属电极。本发明获得了高质量的晶体硅异质结太阳能电池，形成了高质量的非晶硅薄膜层和极少缺陷的一体化的晶硅、非晶硅异质结叠加界面，提高了钝化效果并有效地降低了漏电流。
专利类型：发明
专利号：201310212499.8
专利申请日：2013.05.31
公开（公告）日：2013.09.18
申请（专利权）人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
发明（设计）人：熊光涌;王栩生;章灵军
国别省市：江苏;32