晶体硅太阳能电池及其制作方法 CN201310239191.2

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池及其制作方法，该晶体硅太阳能电池包括硅衬底和生长在硅衬底表面的氮化硅薄膜，在所述硅衬底和氮化硅薄膜之间还生长有氧化硅薄膜或非晶硅薄膜。本发明具备抗PID的性能，而且不降低太阳能电池的转换效率性能。
专利类型：发明
专利号：201310239191.2
专利申请日：2013.06.17
公开（公告）日：2013.09.18
申请（专利权）人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
发明（设计）人：夏正月;任常瑞;张满良;高艳涛;陶龙忠;张斌;邢国强
国别省市：江苏;32

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