多边缘WS2/石墨烯电化学贮锂复合电极及制备方法 CN201410339795.9

本发明公开了一种多边缘WS2/石墨烯电化学贮锂复合电极及其制备方法，其化学贮锂活性物质为少层数的多边缘WS2纳米片与石墨烯的复合纳米材料，复合纳米材料中WS2和石墨烯的物质的量之比为1:2，复合电极的组分及其质量百分比含量为：多边缘WS2纳米片/石墨复合纳米材料为80-85%，乙炔黑5-10％，聚偏氟乙烯5-10％。制备步骤：先制备得到少层数的多边缘WS2纳米片/石墨烯复合纳米材料，将所制备的多边缘WS2纳米片/石墨烯复合纳米材料与乙炔黑及聚偏氟乙烯调成均匀的浆料，涂到铜箔上滚压后制备得到复合电极。本发明制备的多边缘WS2/石墨烯电化学贮锂复合电极具有高的电化学贮锂容量。
专利类型：发明
专利号：201410339795.9
专利申请日：2014.07.17
公开（公告）日：2014.10.15
申请（专利权）人：浙江大学
发明（设计）人：陈涛;陈卫祥;马琳;孙虎;叶剑波;陈倩男
国别省市：浙江;33