硅晶太阳能电池基板的制作方法 CN201310008391.7

硅晶太阳能电池基板的制作方法包含：将硅晶块材浸于硝酸银及含水氢氟酸的溶液中使硝酸银与硅晶块材持续产生银粒子及第一氧化硅层，同时使含水氢氟酸持续移除第一氧化硅层从而使硅晶块材的表面向内凹陷有多纳米级沟槽；后续，将硅晶块材浸于硝酸水溶液中以移除纳米级沟槽中的银粒子并同时氧化硅晶块材以形成第二氧化硅层；最后，将硅晶块材浸于氢氟酸溶液中移除第二氧化硅层并从而制得硅晶太阳能电池基板。硝酸银浓度是至少等于0.01M以使硅晶块材向内凹陷有纳米级沟槽，以致在省略掉抗反射层的沉积步骤下，也可使300～800nm间的光源入射至基板后的平均反射率低于6%，从而使光源有效地由硅晶太阳能电池基板所吸收以进行光电效应。
专利类型：发明
专利号：201310008391.7
专利申请日：2013.01.09
公开（公告）日：2013.09.11
申请（专利权）人：合晶科技股份有限公司
发明（设计）人：王国祯;邱恒徳;薛丞智;李文中
国别省市：台湾;71