太阳能电池吸收层薄膜结构及其制造方法 CN201210397509.5

本发明提供一种太阳能电池吸收层薄膜结构及其制造方法，所述薄膜结构包括叠置的三个薄膜层；其中一个薄膜层是CuInSe2薄膜层；另外一个薄膜层是CuInGaSe2薄膜层、CuInAlSe2薄膜层或者CuInBSe2薄膜层；余下一个薄膜层是CuInS2薄膜层或者CuInGaS2薄膜层。本发明也可以由上述三个薄膜层中的任意两个叠置而成。本发明提供的铜铟镓硒太阳能电池吸收层薄膜结构，其与单层结构的铜铟镓硒太阳能电池吸收层薄膜结构相比较，不仅具有较佳的能隙宽度，又避免了光的吸收范围减少，大大提高了太阳能电池吸收太阳能的效率。
专利号：201210397509.5
专利申请日：2012.10.17
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.06.19
分类号：
申请（专利权）人：广东金光伏能源投资有限公司
发明（设计）人：谢祥渊;周德才
国别省市：广东;44