硅串接太阳能电池及其制造方法 CN201180053120.2

　
本发明涉及一种非微晶叠层串接太阳能电池以及用于制造所述太阳能电池的方法。本发明特别地解决了通过高级陷光来显著减少有源层厚度的课题。本发明提出了一种广度>1.4m2的串接配置的硅基太阳能电池，其包括a-Si电池（4）和μc-Si电池（10），a-Si电池（4）的吸收体层具有210nm±20nm的厚度，μc-Si电池（10）的吸收体层具有900nm±200nm的厚度。
专利号：201180053120.2
专利申请日：2011.09.01
公开（公告）日：2013.08.21
申请（专利权）人：东电电子太阳能股份公司
发明（设计）人：H.戈德巴赫;T.罗舍克;R.克拉维茨
国别省市：瑞士;CH