一种背表面钝化晶体硅太阳能电池的制备工艺 CN201210278580.1

本发明公开了一种背表面钝化晶体硅太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤：（a）晶体硅片制绒前首先在其背面形成制绒和扩散阻挡层；（b）对硅片进行清洗制绒；（c）对硅片进行扩散，形成P-N结；（d）去除磷硅玻璃和背表面氧化层；（e）正面沉积SiNx薄膜，背面沉积Al2O3和SiNx叠层薄膜；（f）对背表面进行激光或者腐蚀浆料开孔；（g）丝网印刷背电极和正面栅线；（h）烧结；（i）电池制备完毕。这种背表面钝化晶体硅太阳能电池的制备工艺可以在低温下生长，速度快，成本低，背表面钝化技术可以提高背表面内反射率至90%，且大幅度降低背表面的复合，提高太阳能电池的开路电压和短路电流，从而提高了太阳能电池的效率。
专利类型：发明
专利号：201210278580.1
专利申请日：2012.08.08
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.14
分类号：
申请（专利权）人：泰通（泰州）工业有限公司
发明（设计）人：鲁伟明;初仁龙
国别省市：江苏;32