铸硅制造方法和以铸硅实体为材料的太阳能电池制造方法 CN201310090079.7

本发明公开了铸硅制造方法和以铸硅实体为材料的太阳能电池制造方法。该铸硅制造方法包括在至少一个表面上放置与包含单晶硅的至少一个硅籽晶接触的硅原料；将硅原料和所述至少一个硅籽晶加热到硅的熔融温度；在熔融处理的过程中利用能量积分的方式进行精确控制，以获得更理想的铸造单晶硅。
专利号：201310090079.7
专利申请日：2013.03.21
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.07.17
分类号：
申请（专利权）人：南昌大学
发明（设计）人：彭杰;万晓凤;张肃宇;胡凌燕
国别省市：江西;36