太阳能电池的制作方法及太阳能电池 CN201210011460.5

本发明公开了一种太阳能电池的制作方法包括：获得一PN结构；在PN结构的基底材料的表面上形成第一钝化层和减反射层，在PN结构的基底材料的背面上形成第二钝化层；形成第一类接触孔和第二类接触孔；在该第二钝化层上形成第一金属层以使该第一类接触孔和该第二类接触孔被该第一金属填充；在该第一金属层上形成第二金属层；将叠置的第一金属层和第二金属层分割为第一类电极和第二类电极，其中该第一类电极通过该第一类接触孔中的第一金属连接至该P+掺杂区域，该第二类电极通过该第二类接触孔中的第一金属连接至该N+掺杂区域。本发明还公开了一种太阳能电池。本发明简化了工艺步骤，仅仅采用了一次掩膜，成本大大降低。
专利号：201210011460.5
专利申请日：22012.01.13
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.07.17
分类号：
申请（专利权）人：上海凯世通半导体有限公司
发明（设计）人：陈炯;洪俊华;钱锋
国别省市：上海;31