一种晶硅太阳能MWT电池的制造方法及其制造的电池 CN201310013325.9

本发明公开了一种晶硅太阳能MWT电池的制造方法，包括如下步骤：制作导电通孔；湿法制绒；受光面进行栅线区域磷浆印刷；磷扩散；刻蚀硅基体边缘，去PSG处理；镀减反射膜，印刷发射极接触电极、背极接触电极以及基极接触电极；印刷受光面电极栅线；烧结形成欧姆接触；基极接触电极与发射极接触电极之间电绝缘，完成太阳能电池制作。本发明在MWT太阳能电池上实现了选择性发射极结构，并结合背钝化技术和二次印刷技术，有效降低光学损失，减少少数载流子复合，减少电极相关的各种电阻损失，显著提高电池的短路电流ISC、开路电压UOC以及填充因子。该制备工艺易于操作，能与当前广泛应用的太阳能电池生产线完全兼容，适合大规模生产。
专利号：201310013325.9
专利申请日：2013.01.15
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.7.3
分类号：
申请（专利权）人：常州亿晶光电科技有限公司
发明（设计）人：谢合义;李钟华
国别省市：江苏;32