一种抗电势诱导衰减的太阳能电池的制备工艺 CN201310096087.2

本发明公开了一种抗电势诱导衰减的太阳能电池的制备工艺，包括如下步骤：（a）将硅片清洗，去损伤层，制绒；（b）将硅片放入管式扩散炉中，进行扩散；（c）将扩散后的硅片去除磷硅玻璃和背结；（d）在发射极表面生长一层二氧化硅，再沉积一层氮化硅，或者直接在发射极表面沉积氮化硅钝化减反射层；（e）丝网印刷背电极和正面电极；（f）烧结并测试分选。这种抗电势诱导衰减的太阳能电池的制备工艺可以提高太阳能电池及其制成的组件的抗电势诱导衰减的能力，从而保证组件在高电压工作环境中性能的稳定。
专利号：201310096087.2
专利申请日：2013.03.25
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.06.19
分类号：
申请（专利权）人：泰通（泰州）工业有限公司
发明（设计）人：鲁伟明;钱晓峰;初仁龙;符欣;庄飞;闫路;王启战;王志刚;费存勇;郑直
国别省市：江苏;32