一种准单晶硅太阳能电池的制备方法 CN201310095972.9

本发明公开了一种准单晶硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：对准单晶硅片进行分类；根据不同的分类选择制绒方法，对所述准单晶硅片的正面进行制绒；在所述硅片正面形成P扩散层，然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层；在所述硅片正面形成减反膜；在所述硅片背面形成背电极和铝背场；在所述硅片正面形成正电极。本发明通过对准单晶硅片进行更加细致地分类；然后根据准单晶硅片的不同分类选择适当的制绒工艺，进而获得外观均匀、效率分布窄、光电转化效率高的太阳能电池。
专利号：201310095972.9
专利申请日：2013.03.22
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.06.19
分类号：
申请（专利权）人：浙江正泰太阳能科技有限公司
发明（设计）人：石强;韩玮智;牛新伟;蒋前哨;李永辉;仇展炜
国别省市：浙江;33