一种太阳能电池的制造方法 CN201310112386.0

本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，步骤如下：应用离子注入的方法将杂质注入硅片形成PN结；淀积含有掺杂元素的二氧化硅薄膜；除去硅片上表面电极区以外的二氧化硅；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于干氧环境中进行高温扩散，使非电极区的掺杂元素逆向扩散入非晶硅层，电极区氧化层中的掺杂元素进一步向电极区扩散，同时形成表层氧化层；去除硅片表面的非晶硅层和氧化层；在硅片表面淀积氮化硅抗反射薄膜；最后烧制金属电极。本发明通过离子注入的方式，降低了表面杂质浓度，后通过高温过程，使非晶硅吸收非电极区的杂质，进一步降低了非电极区的掺杂浓度，致使电极区与非电极区的掺杂浓度差加大，提高了电池的性能。
专利号：201310112386.0
专利申请日：2013.04.01
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.06.19
分类号：
申请（专利权）人：南通大学
发明（设计）人：花国然;王强;姚滢;孙树叶;朱海峰
国别省市：江苏;32