电池保护包及其制备工艺 CN201510643913.X

本发明提出了小尺寸的电池保护包，以及小尺寸电池保护包的制备工艺。该电池保护包包括一个第一共漏金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、一个第二共漏MOSFET、一个功率控制集成电路（IC）、多个焊锡球、多个导电凸起以及一个封装层。功率控制IC垂直堆栈在第一和第二共漏MOSFET上方。至少将一大部分功率控制IC以及至少将绝大部分的多个焊锡球嵌入在封装层中。制备电池保护包的工艺包括制备功率控制IC；制备共漏MOSFET晶圆；将功率控制IC与共漏MOSFET晶圆集成并且连接引脚分配；制备一个封装层；进行研磨工艺；制备一个金属层；并且分离电池保护包。
专利类型：发明
专利号：201510643913.X
专利申请日：2015.10.08
公开（公告）日：2017.04.19
申请（专利权）人：万国半导体股份有限公司;
发明（设计）人：牛志强; 薛彦迅; 胡满升; 鲁军; 何约瑟; 哈姆扎·依玛兹;
国别省市：美国;US