异质结太阳能电池及其制作方法 CN201210529859.2

一种异质结太阳能电池及其制作方法，所述异质结太阳能电池的制作方法包括：提供基片，提供基片，所述基片为第一掺杂类型单晶硅片；在所述基片表面形成第一应力层，并进行退火处理，所述第一应力层的应力类型与基片的掺杂类型相对应；去除所述第一应力层；在所述基片表面形成第二掺杂类型非晶硅层；在所述第二掺杂类型非晶硅层表面形成透明导电层；在所述透明导电层表面形成第一电极；在所述基片下表面形成第二电极。所述异质结太阳能电池的制作方法能够提高异质结太阳能电池的载流子迁移率，提高所述异质结太阳能电池的转换效率。
专利号：201210529859.2
专利申请日：2012.12.06
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.05.15
分类号：
申请（专利权）人：杭州赛昂电力有限公司
发明（设计）人：杨瑞鹏;韩启成;刘祥超;吴佩莲;杨振凯;濮庆
国别省市：浙江;33