一种叠层太阳电池及其制备方法 CN201610971063.0
本发明公开了一种p型晶体硅/Cu2ZnSnS4叠层太阳电池，包括层叠的晶体硅底电池和Cu2ZnSnS4薄膜顶电池，所述晶体硅底电池包括从下到上依次层叠的背电极、p型晶体硅基底和n型晶体硅发射极，所述Cu2ZnSnS4薄膜顶电池包括下到上依次层叠的Cu2ZnSnS4吸收层、缓冲层、窗口层、减反射层和顶电极，所述吸收层层叠在n型晶体硅发射极上。提高了现有p型晶体硅太阳电池的光电转换效率，同时可以有效避免其它薄膜太阳电池与晶体硅太阳电池形成叠层结构时由于晶格失配所产生的过多界面态。
专利类型：发明
专利号：
201610971063.0
专利申请日：
2016.11.04
公开（公告）日：
2017.03.01
申请（专利权）人：
常熟理工学院; 苏州腾晖光伏技术有限公司;
发明（设计）人：
张磊; 倪志春; 魏青竹; 葛振华; 陆天裕; 钱斌; 冯金福;
国别省市：
江苏;32
