纳米α相氢氧化镍表面包覆CoOOH的方法 CN201110335679.6

本发明公开了纳米α相氢氧化镍表面包覆CoOOH的方法，该方法的主要内容是采用沉淀转化的方法在α相氢氧化镍表面包覆一层CoOOH，本发明明显改善α相氢氧化镍的导电性能，提高氢氧化镍的电极性能，进而明显改善了电池的性能，例如提高比容量与输出功率，提高了大倍率放电能力以及充放电循环性能，提高了析氧过电位以及放电平台等，所制备的覆钴α相氢氧化镍的放电容量高达386mAh/g.
专利号：201110335679.6
专利申请日：2011.10.31
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.05.08
分类号：
申请（专利权）人：国家纳米技术与工程研究院
发明（设计）人：吴青端;吕幼军;王钟颖
国别省市：天津;12