铜锌锡硫硒薄膜制备中的掺杂工艺 CN201310033586.7

本发明提供了一种铜锌锡硫硒薄膜制备中的掺杂工艺，属于太阳能电池技术领域，该工艺可有效地掺杂第五主族元素，且掺杂梯度可控、掺杂比例可调、掺杂效应显著。其步骤包括：步骤一：通过应用薄膜沉积工艺，制备铜锌锡硫硒薄膜；步骤二：根据制备铜锌锡硫硒薄膜时选择的工艺和需掺杂元素的特点，通过掺杂工艺实现这一元素在铜锌锡硫硒薄膜中的掺杂；步骤三：对所得薄膜施以热处理工艺,最终完成第五主族元素在铜锌锡硫硒薄膜中掺杂效应的激活。本发明实现了对铜锌锡硫硒薄膜结晶性能、光电特性、电学特性的改进优化，在低成本高效薄膜太阳能电池的制备中具有广泛的运用前景.
专利号：201310033586.7
专利申请日：2013.01.29
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.05.08
分类号：
申请（专利权）人：电子科技大学
发明（设计）人：向勇;张晓琨;张庶
国别省市：四川;51