一种采用N型衬底的发光二极管及其制造方法 CN201210267956.9

本发明公开一种采用N型衬底的发光二极管及其制造方法，其包括N型GaAs衬底，在N型GaAs衬底上依次生长有N型GaAs缓冲层、布拉格反射层、N型下限制层、有源层、P型上限制层、P型电流扩展层、P型粗化层以及欧姆接触层；所述有源层可由Undoped-（AlxGa1-x）yIn1-yP构成；所述P型电流扩展层可由p-AlxGa1-xAs构成且其厚度为1～15um；所述P型粗化层可由p-（AlxGa1-x）yIn1-yP构成且其厚度为0.3～5um；所述欧姆接触层由P++GaAs构成；其制造方法包括在300℃-700℃的温度下对N型GaAs衬底进行表面处理，然后依次生长各外延结构；本发明可大幅提高发光二极管的外量子效率，发光效率高，使用寿命长。
专利类型：发明
专利号：201210267956.9
专利申请日：2012.07.31
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.10.31
分类号：
申请（专利权）人：厦门乾照光电股份有限公司
发明（设计）人：蔡建九;杨凯;林志伟;陈凯轩;林志园
国别省市：福建;35