一种晶体硅背面点接触的制备方法 CN201310006876.2

本发明公开了一种晶体硅背面点接触的制备方法，包括如下步骤：1）对单晶硅片表面去除损伤层并形成织构化绒面结构；2）将制绒好的硅片插入石英舟中扩散形成PN结，在硅片的正面形成方块电阻；3）去除硅片四周和背面的PN结，同时采用HF去粗扩散形成磷硅玻璃；4）采用微波法的等离子体化学气相沉积的方法在硅片正反两面沉积一层氮化硅钝化减反膜，并在背面留出点接触的点；5）采用丝网印刷技术对电池背电极、背电场、正面电极依次印刷，背电极印刷银浆，背电场印刷铝浆，正面电极印刷银浆，并通过烧结形成良好的欧姆接触。本发明一次性在硅片正反面都镀上氮化硅薄膜，同时在背面的氮化硅层留出需要点接触的点，工艺简单，降低了制造成本。
专利类型：发明
专利号：201310006876.2
专利申请日：2013.01.08
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.05.01
分类号：
申请（专利权）人：浙江光普太阳能科技有限公司
发明（设计）人：徐冬星;倪建林;闻二成
国别省市：浙江;33