少层数MoS2/石墨烯电化学贮锂复合电极的制备方法 CN201210187858.4

专利类型：发明
专利号：201210187858.4
专利申请日：2012.06.08
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.09.19
分类号：
申请（专利权）人：浙江大学
发明（设计）人：陈卫祥;王臻;黄国创;马琳
国别省市：浙江;33
本发明涉及少层数MoS2/石墨烯电化学贮锂复合电极的制备方法，其步骤是：将氧化石墨烯超声分散在去离子水中，搅拌下先加入八烷基三甲基溴化铵阳离子表面活性剂，然后加入硫代钼酸铵并滴加水合肼，于95℃回流反应，使硫代钼酸铵和氧化石墨烯同时分别还原成MoS2和石墨烯，离心收集固体产物，去离子洗涤，干燥，在氮气/氢气混合气氛中热处理，得到少层数（2-4层）MoS2与石墨烯的复合纳米材料，将少层数MoS2与石墨烯复合纳米材料与乙炔黑及聚偏氟乙烯调成糊状物，涂到铜箔上滚压。本发明方法工艺简单，不消耗有机溶剂。以少层数MoS2/石墨烯复合材料为电化学贮锂复合电极，具有高电化学贮锂比容量，优异的循环性能和好的高倍率充放电特性。