形成硫化物半导体膜及其太阳能电池的方法 CN201210306447.2

本发明公开了一种形成硫化物半导体膜的方法及一种包含此硫化物半导体膜的太阳能电池的制作方法。形成硫化物半导体膜的方法包含涂布一层前驱物溶液于一基板上，以及进行一回火工艺，使此层前驱物溶液形成硫化物半导体膜。其中，此前驱物溶液包含溶剂、金属硫化物纳米粒子，以及金属离子及金属络合物离子至少其中之一，且金属离子及/或金属络合物离子是分布于金属硫化物纳米粒子的表面。金属硫化物纳米粒子、金属离子及金属络合物离子所包括的金属是选自周期表第I、II、III及IV族元素且包含此硫化物半导体材料的所有金属元素。
专利类型：发明
专利号：201210306447.2
专利申请日：2012.08.24
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.3.27
分类号：
申请（专利权）人：旺能光电股份有限公司
发明（设计）人：廖曰淳;杨丰瑜;丁晴
国别省市：台湾;71