一种制备多孔硅基质子交换膜的方法 CN201210484580.7

本发明公开一种制备多孔硅基质子交换膜的方法，所述方法包括三个步骤：1）多孔硅膜的亲水化，利用硫酸和双氧水处理多孔硅膜，使其侧壁上嫁接足够多的羟基；2）硅烷偶联剂的嫁接，利用缩合反应把硅烷偶联剂嫁接在多孔硅的侧壁，作为磺酸基的骨架；3）磺化，利用硝酸氧化硅烷偶联剂末端的巯基，使其氧化成为磺酸基。
专利类型：发明
专利号：201210484580.7
专利申请日：2012.11.23
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.3.20
分类号：
申请（专利权）人：清华大学
发明（设计）人：王晓红;王玫;李剑楠;刘理天
国别省市：北京;11