太阳能电池元件及其制造方法、以及太阳能电池模块 CN201180020477.0

本发明提供一种太阳能电池元件、具备该太阳能电池元件的太阳能电池模块、以及太阳能电池元件的制造方法。所述太阳能电池元件具备具有p型半导体区域的半导体基体，所述p型半导体区域在其表层部设有具有Si-O键的一个以上的表层内部区域，在该表层内部区域上设有钝化层。所述太阳能电池元件的制造方法包括：基板准备工序，准备具有p型半导体区域的半导体基体；表面处理工序，将所述p型半导体区域的表面暴露于使用含有氧的气体而形成的等离子体中，而在所述p型半导体区域的表层部形成具有Si-O键的表层内部区域；层形成工序，在所述表层内部区域上形成钝化层。
专利类型：发明
专利号：201180020477.0
专利申请日：2011.05.20
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.2.20
分类号：
申请（专利权）人：京瓷株式会社
发明（设计）人：古茂田学;岩目地和明;藤本和良
国别省市：日本;JP