全固体二次电池及全固体二次电池的制造方法 CN201180020463.9

本发明提供一种可进行固体电解质层的薄层化且内阻小的全固体二次电池。另外，提供一种可以形成极薄的固体电解质层的全固体二次电池的制造方法。进而，提供一种固体电解质层用浆料组合物的涂布不均少且减小内阻的全固体二次电池的制造方法。所述全固体二次电池具有：具有正极活性物质层的正极、具有负极活性物质层的负极和这些正负极活性物质层间的固体电解质层，其特征在于，所述固体电解质层的厚度为1~15μm，所述固体电解质层含有平均粒径为1.5μm以下的固体电解质粒子A，所述固体电解质粒子A的累积90%的粒径为2.5μm以下，所述正极活性物质层及所述负极活性物质层含有固体电解质粒子B，所述固体电解质粒子B的平均粒径比所述固体电解质粒子A的平均粒径小，其差为0.3μm以上且2.0μm以下。
专利类型：发明
专利号：201180020463.9
专利申请日：2011.02.25
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.1.2
分类号：
申请（专利权）人：日本瑞翁株式会社
发明（设计）人：吉田直树;薮田直治
国别省市：日本;JP