硅片表面钝化方法 CN201210284150.0

硅片表面钝化方法，涉及太阳能光伏硅片检测技术领域，包括：将清洗后的硅片放入化学抛光液中，进行化学抛光以去除硅片表面损伤层，其中抛光液的配比为氢氟酸：硝酸=1:3～6；2～5分钟后从抛光液中取出用去离子水漂洗干净；将抛光后的硅片放入塑料自封袋中，用滴管吸取配制好的钝化液滴入装有硅片的自封袋中，同时将钝化液均匀地滩涂在硅片表面，其中钝化液的配比为高纯固体碘：无水酒精=1g：50～100ml；10～20分钟后放入WT－2000少子寿命测试仪中进行测试，少子寿命会有明显提升。本发明的有益效果是：解决了硅片少子寿命测量误差偏大导致质量误判的问题，硅片表面钝化可以有效地降低表面少子寿命复合率，少子寿命提高10～30倍，真实的反应出硅片的质量。
专利类型：发明
专利号：201210284150.0
专利申请日：2012.08.12
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.1.2
分类号：
申请（专利权）人：安阳市凤凰光伏科技有限公司
发明（设计）人：刘瑞柱;孙志刚;刘茂华;韩子强;石坚;王俊涛;熊涛涛
国别省市：河南;41