微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法 CN201210330676.8

本发明公开了一种微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，包括：在不锈钢基板上沉积银Ag薄膜和氧化锌ZnO薄膜；在所述ZnO薄膜表面沉积掺P的负电极层；在所述负电极层表面沉积微晶硅薄膜；在此过程中掺入微量的B或Ga或In；在所述微晶硅层表面沉积掺B的正电极层；在所述正电极层表面沉积透明导电氧化物TCO薄膜。本发明的微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，通过控制氧杂质的含量，能够进一步提高微晶硅薄膜电池光电转换效率。
专利类型：发明
专利号：201210330676.8
专利申请日：2012.09.10
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.1.2
分类号：
申请（专利权）人：福建铂阳精工设备有限公司
发明（设计）人：张津燕;胡安红;徐希翔;李沅民;单洪青
国别省市：北京;11