晶体硅太阳能电池的制备方法 CN201210292348.3

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法。该方法包括制绒、扩散、湿法刻蚀、减反射膜的沉积、丝网印刷和烧结，在制绒步骤之前进一步包括对硅片进行抛光的步骤。应用本发明的技术方案，通过增加抛光工序，减薄了损伤层的厚度，后续再通过制绒和湿法刻蚀彻底消除损伤层的存在，从而避免了载流子因损伤层的复合，进而提高了载流子的寿命，使晶体硅太阳电池的转换效率提升。
专利类型：发明
专利号：201210292348.3
专利申请日：2012.08.16
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.28
分类号：
申请（专利权）人：英利能源（china）有限公司
发明（设计）人：范志东;郭延岭;赵学玲;张小盼
国别省市：河北;13