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晶体硅太阳能电池的制备方法 CN201210292348.3


本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法。该方法包括制绒、扩散、湿法刻蚀、减反射膜的沉积、丝网印刷和烧结,在制绒步骤之前进一步包括对硅片进行抛光的步骤。应用本发明的技术方案,通过增加抛光工序,减薄了损伤层的厚度,后续再通过制绒和湿法刻蚀彻底消除损伤层的存在,从而避免了载流子因损伤层的复合,进而提高了载流子的寿命,使晶体硅太阳电池的转换效率提升。
专利类型:发明
专利号:201210292348.3
专利申请日:2012.08.16
公开(公告)号:
公开(公告)日:2012.11.28
分类号:
申请(专利权)人:英利能源(china)有限公司
发明(设计)人:范志东;郭延岭;赵学玲;张小盼
国别省市:河北;13


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