一种倒装太阳能电池芯片及其制备方法 CN201210322001.9

本发明公开一种倒装太阳能电池芯片及其制备方法，包含：一键合转移衬底，所述的键合转移衬底为绝缘体；一键合金属层；一倒装太阳能电池外延层；所述的倒装太阳能电池外延层通过键合金属层与键合转移衬底贴合；所述的倒装太阳能电池外延层连同键合金属层被分割成至少两部分或以上；所述的被分割开的倒装太阳能电池外延层表面形成有正面电极；键合金属层与正面电极首尾互连，使得分割开后的外延层形成串联。本发明的优点在于，电池外延层被分割成完全隔离的若干部分后形成串联，大大降低了光生电流，从而降低了电池芯片串联电阻的功耗，而输出电压成倍增加，提高电池芯片光电转换效率；采用键合金属层作为背电极，实现了背电极极低的电阻性损耗。
专利类型：发明
专利号：201210322001.9
专利申请日：2012.09.04
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.28
分类号：
申请（专利权）人：天津三安光电有限公司
发明（设计）人：熊伟平;林桂江;吴志敏;宋明辉;安晖
国别省市：天津;12