GaInP/GaAs/Ge三结级联太阳能电池及其制备方法 CN201210249554.6

本发明提供一种GaInP/GaAs/Ge三结级联太阳能电池，包括支撑衬底，以及在所述支撑衬底上依次设置的第二接触层、Ge子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第一隧道结、GaInP子电池和第一接触层。本发明还提供一种GaInP/GaAs/Ge三结级联太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底表面依次生长AlGaAs的牺牲层、第一接触层、GaInP子电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、Ge子电池及第二接触层；3）提供一支撑衬底；4）将支撑衬底键合至第二接触层表面；5）从第一接触层处将GaAs衬底及AlGaAs的牺牲层剥离以去除GaAs衬底及AlGaAs的牺牲层。
专利类型：发明
专利号：201210249554.6
专利申请日：2012.07.19
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.21
分类号：
申请（专利权）人：china科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明（设计）人：孙玉润;董建荣;李奎龙;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉
国别省市：江苏;32