晶体硅太阳能电池制造方法及激光二次烧结方法 CN201210168834.4

本发明公开了一种晶体硅太阳电池制造的激光二次烧结方法，包括如下步骤：第一次烧结：激光脉冲的宽度为0.1至300ns；激光脉冲的数量为1个或1个以上；激光脉冲的能量密度为1至25？J/cm2；激光脉冲的波形为矩形波或尖峰波；激光的波长为1064nm、1030nm、532nm、515nm或355nm；第二次烧结：激光脉冲的宽度为20至1600ns；激光脉冲的数量为1个或1个以上；激光脉冲的能量密度为1至25？J/cm2；激光脉冲的波形为矩形波或尖峰波；激光的波长为1064nm、1030nm、532nm、515nm或355nm。本发明还公开了一种制造晶体硅太阳电池的方法。本发明能提高烧结工艺稳定性。
专利类型：发明
专利号：201210168834.4
专利申请日：2012.05.29
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.10.10
分类号：
申请（专利权）人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
发明（设计）人：卢建刚;邢国强;陶龙忠;李晓强;夏正月;杨灼坚;董经兵;宋文涛
国别省市：江苏;32