氮化物半导体发光元件及其制造方法 CN201210125497.0

本发明提供具有厚膜的金属凸块且可靠性高的倒装片式安装型的氮化物半导体发光元件和提高了生产率的其制造方法。氮化物半导体发光元件(1)中，在氮化物半导体发光元件结构(10)的n侧电极连接面(10a)上和p侧电极连接面(10b)上将具有开口部(30a、30b)的第1抗蚀图形(30)作为掩蔽而除去保护层(20)后，不除去第1抗蚀图形(30)而形成成为n侧电极(21)、p侧电极(22)的第1金属层(25)。接着，不除去第1抗蚀图形(30)而在开口部(30a、30b)上形成具有开口部(31a、31b)的第2抗蚀图形(31)，通过将第1金属层(25)作为电极的电镀而形成成为金属凸块(23、24)的第2金属层(26a、26b)。其后，除去第2抗蚀图形(31)和第2抗蚀图形(32)。
专利类型：发明
专利号：201210125497.0
专利申请日：2012.04.25
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.10.31
分类号：
申请（专利权）人：日亚化学工业株式会社
发明（设计）人：米田章法;川口浩史;出口宏一郎
国别省市：日本;JP